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沒有 EUV，就從晶片背面下手？SMIC 傳在 N7/N5 測試背面供電技術
TrendForce News 引述產業消息指出，中芯國際正在為 N7/N5 製程研究 Backside Power Delivery，AMEC 與北方華創據報參與相關設備支援，其中 AMEC 的 ALD 設備傳出已通過 SMIC 驗證。這不代表 SMIC 靠背面供電就能跨越 EUV 限制，但顯示中國先進製程的競爭方向，可能開始從單純追逐微影縮放，轉向供電、互連、材料與結構創新。
晶片觀測站·2 週前
8 min
中國修訂晶片設計保護新制！嚴打抄襲 IC 版圖設計，強化原創審查與侵權懲罰
中國正式修訂《積體電路布圖設計保護條例》，大幅提高晶片版圖（IC Layout）取得法律保護的門檻，要求設計必須證明為自主研發並具備原創性，同時加重侵權賠償與懲罰性賠償機制。值得注意的是，新法目前仍允許中國 IC 設計公司委託台積電（TSMC）與三星晶圓代工（Samsung Foundry）生產晶片，意味中國尚未全面限制先進晶片赴海外製造。
晶片觀測站·1 個月前
5 min