中國修訂晶片設計保護新制!嚴打抄襲 IC 版圖設計,強化原創審查與侵權懲罰
30秒摘要
中國正式修訂《積體電路布圖設計保護條例》,大幅提高晶片版圖(IC Layout)取得法律保護的門檻,要求設計必須證明為自主研發並具備原創性,同時加重侵權賠償與懲罰性賠償機制。值得注意的是,新法目前仍允許中國 IC 設計公司委託台積電(TSMC)與三星晶圓代工(Samsung Foundry)生產晶片,意味中國尚未全面限制先進晶片赴海外製造。
重點摘要
- 01中國修訂 IC 布圖設計保護條例,提高原創性要求。
- 02企業須證明晶片版圖為自主研發並正式聲明原創。
- 03申請時須說明哪些設計屬於自身創新成果。
- 04侵權案件新增懲罰性賠償,提高抄襲成本。
- 05企業須對版圖設計工程師提供合理報酬與獎勵。
- 06目前中國 IC 設計公司仍可委託台積電與 Samsung Foundry 生產晶片。
- 07是否限制海外代工仍未正式納入此次修法。
中國政府近期正式修訂《積體電路布圖設計保護條例(IC Layout Design Protection Regulations)》,新制度將於今年十月中旬正式生效,目的在於提高國內晶片設計的原創門檻,並防止企業透過複製或微幅修改競爭對手的 IC 版圖設計取得法律保護。
此次修法被視為中國半導體自主政策的重要一環,除了希望保護真正具有研發能力的本土 IC 設計公司,也希望建立更完整的智慧財產權制度,提升中國半導體產業的技術競爭力。
IC Layout 是什麼?
此次修法主要針對的是「積體電路布圖設計(IC Layout Design)」。
IC Layout 並非晶片的電路原理圖,而是將數十億個電晶體、金屬導線、接點以及不同製程層實際排列於矽晶片上的實體版圖。這些版圖通常需要投入大量工程設計、EDA 工具驗證以及多年研發,因此各國普遍將其視為重要智慧財產。
由於 IC Layout 屬於晶片設計最核心的成果之一,因此中國此次修法直接提高了版圖取得法律保護的門檻。
新法要求證明「自主研發」
根據新規定,未來企業申請 IC Layout 保護時,除了提出設計文件之外,還必須符合數項新的要求:
- 必須證明版圖為自主開發,而非直接複製他人設計。
- 必須正式聲明設計具有原創性(Originality)。
- 必須清楚標示哪些部分屬於自身創新成果。
- 若部分設計來自授權 IP 或開源設計,也需加以說明。
透過上述要求,主管機關將更容易區分真正具有研發能力的企業,以及僅透過修改既有設計提出申請的公司。
此外,新制度也有助於官方判斷某款晶片是否真正由中國企業自主設計,而非購買國外產品後重新包裝成「中國自主研發」。
侵權成本同步提高
除了提高申請門檻,新法也強化侵權處罰機制。
自十月中旬起,在 IC Layout 侵權案件中,法院可依據權利人實際損失或侵權者獲利金額計算賠償,同時新增懲罰性賠償(Punitive Damages)機制,以提高違法成本。
另外,新制度也進一步規範:
- IC Layout 權利授權程序
- 權利移轉流程
- 作為融資擔保品的使用方式
同時要求企業對參與版圖開發的工程師提供合理報酬與獎勵,以鼓勵原創設計與技術創新。
暫未限制海外晶圓代工
近期市場一度傳出,中國政府正考慮限制重要晶片技術不得於海外製造,希望重要 IC 設計未來只能交由中國本土晶圓代工廠生產,例如中芯國際(SMIC)、華虹半導體(Hua Hong)等。
若相關政策全面實施,中國 IC 設計公司未來將無法委託台積電(TSMC)或三星晶圓代工(Samsung Foundry)生產先進晶片。
不過,根據目前公布的新法內容,並未納入此項限制。
這代表中國 IC 設計公司現階段仍可依照商業需求,將晶片交由台積電或三星進行晶圓製造,而非強制改由中國本土晶圓廠代工。
反映中國半導體政策的新方向
外界認為,此次修法反映中國政府開始更加重視自主晶片設計成果,而政策重點也逐漸從單純提升晶片產能,轉向建立完整的半導體智慧財產權保護制度。
另一方面,目前中國仍未完全禁止先進晶片赴海外製造,也顯示在先進製程能力尚未完全成熟之前,中國仍需仰賴海外晶圓代工資源,以維持高階晶片的市場競爭力。
未來若中國本土晶圓代工能力持續提升,相關政策是否進一步收緊海外生產限制,仍值得持續觀察。


