中國修訂晶片設計保護新制!嚴打抄襲 IC 版圖設計,強化原創審查與侵權懲罰

晶片觀測站2026/08/065 min read
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30秒摘要

中國正式修訂《積體電路布圖設計保護條例》,大幅提高晶片版圖(IC Layout)取得法律保護的門檻,要求設計必須證明為自主研發並具備原創性,同時加重侵權賠償與懲罰性賠償機制。值得注意的是,新法目前仍允許中國 IC 設計公司委託台積電(TSMC)與三星晶圓代工(Samsung Foundry)生產晶片,意味中國尚未全面限制先進晶片赴海外製造。

重點摘要

  1. 01中國修訂 IC 布圖設計保護條例,提高原創性要求。
  2. 02企業須證明晶片版圖為自主研發並正式聲明原創。
  3. 03申請時須說明哪些設計屬於自身創新成果。
  4. 04侵權案件新增懲罰性賠償,提高抄襲成本。
  5. 05企業須對版圖設計工程師提供合理報酬與獎勵。
  6. 06目前中國 IC 設計公司仍可委託台積電與 Samsung Foundry 生產晶片。
  7. 07是否限制海外代工仍未正式納入此次修法。

中國政府近期正式修訂《積體電路布圖設計保護條例(IC Layout Design Protection Regulations)》,新制度將於今年十月中旬正式生效,目的在於提高國內晶片設計的原創門檻,並防止企業透過複製或微幅修改競爭對手的 IC 版圖設計取得法律保護。

此次修法被視為中國半導體自主政策的重要一環,除了希望保護真正具有研發能力的本土 IC 設計公司,也希望建立更完整的智慧財產權制度,提升中國半導體產業的技術競爭力。

IC Layout 是什麼?

此次修法主要針對的是「積體電路布圖設計(IC Layout Design)」。

IC Layout 並非晶片的電路原理圖,而是將數十億個電晶體、金屬導線、接點以及不同製程層實際排列於矽晶片上的實體版圖。這些版圖通常需要投入大量工程設計、EDA 工具驗證以及多年研發,因此各國普遍將其視為重要智慧財產。

由於 IC Layout 屬於晶片設計最核心的成果之一,因此中國此次修法直接提高了版圖取得法律保護的門檻。

新法要求證明「自主研發」

根據新規定,未來企業申請 IC Layout 保護時,除了提出設計文件之外,還必須符合數項新的要求:

  • 必須證明版圖為自主開發,而非直接複製他人設計。
  • 必須正式聲明設計具有原創性(Originality)。
  • 必須清楚標示哪些部分屬於自身創新成果。
  • 若部分設計來自授權 IP 或開源設計,也需加以說明。

透過上述要求,主管機關將更容易區分真正具有研發能力的企業,以及僅透過修改既有設計提出申請的公司。

此外,新制度也有助於官方判斷某款晶片是否真正由中國企業自主設計,而非購買國外產品後重新包裝成「中國自主研發」。

侵權成本同步提高

除了提高申請門檻,新法也強化侵權處罰機制。

自十月中旬起,在 IC Layout 侵權案件中,法院可依據權利人實際損失或侵權者獲利金額計算賠償,同時新增懲罰性賠償(Punitive Damages)機制,以提高違法成本。

另外,新制度也進一步規範:

  • IC Layout 權利授權程序
  • 權利移轉流程
  • 作為融資擔保品的使用方式

同時要求企業對參與版圖開發的工程師提供合理報酬與獎勵,以鼓勵原創設計與技術創新。

暫未限制海外晶圓代工

近期市場一度傳出,中國政府正考慮限制重要晶片技術不得於海外製造,希望重要 IC 設計未來只能交由中國本土晶圓代工廠生產,例如中芯國際(SMIC)、華虹半導體(Hua Hong)等。

若相關政策全面實施,中國 IC 設計公司未來將無法委託台積電(TSMC)或三星晶圓代工(Samsung Foundry)生產先進晶片。

不過,根據目前公布的新法內容,並未納入此項限制。

這代表中國 IC 設計公司現階段仍可依照商業需求,將晶片交由台積電或三星進行晶圓製造,而非強制改由中國本土晶圓廠代工。

反映中國半導體政策的新方向

外界認為,此次修法反映中國政府開始更加重視自主晶片設計成果,而政策重點也逐漸從單純提升晶片產能,轉向建立完整的半導體智慧財產權保護制度。

另一方面,目前中國仍未完全禁止先進晶片赴海外製造,也顯示在先進製程能力尚未完全成熟之前,中國仍需仰賴海外晶圓代工資源,以維持高階晶片的市場競爭力。

未來若中國本土晶圓代工能力持續提升,相關政策是否進一步收緊海外生產限制,仍值得持續觀察。

相關公司

台積電(台股)

2330TWSE· 半導體

Samsung Foundry

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SMIC

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Hua Hong

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