中國囤了 343 台浸潤式 DUV：沒有 EUV 仍能做 7nm，出口管制最大的漏洞被重新點名

過去幾年談到中國先進製程，最常出現的一句話大概是：

中國買不到 ASML EUV。

這句話沒有錯。

但它很容易讓人產生另一個錯誤印象：

沒有 EUV，就做不出先進晶片。

事情其實沒有這麼簡單。

2026 年 9 月底，美國華盛頓研究機構 Centre for Technology & Statecraft，簡稱 CTS，發布一份研究報告，重新把焦點拉回一個比較不性感、但可能更重要的設備：

Immersion DUV，浸潤式深紫外光微影。

CTS 估算，截至 2026 年第一季，中資晶圓廠累積取得約 343 台 immersion DUV lithography systems。

其中約 270 台被報告歸類為 ASML NXT:1980i 等級設備，另外還包括約 28 台 NXT:2050i / 2100i 等更高階系統，以及約 45 台較舊機型。

如果這個估算接近真實情況，那中國過去幾年的策略就非常清楚：

EUV 被封鎖
↓
大量買 immersion DUV
↓
建立足夠大的 installed base
↓
用多重曝光與製程複雜度
換取先進節點能力

這並不是說 DUV 可以完整取代 EUV。

而是說：

EUV 封鎖提高了先進製程的成本與難度，但沒有把道路完全封死。

中國到底買了多少？

根據 CTS 報告估算，中資晶圓廠從 2012 年到 2026 年第一季，累積取得約：

343 台 immersion DUV

其中大約：

270 台
≈ NXT:1980i 級系統

28 台
≈ NXT:2050i / NXT:2100i

45 台
≈ 較舊 immersion DUV

更值得注意的是採購速度。

CTS 估計：

2024：約 90 台 NXT:1980i 級
2025：約 89 台 NXT:1980i 級

兩年合計支出超過 130 億美元。

也就是說，在西方開始持續加強半導體設備出口限制的同時，中國並沒有停止取得微影設備。

相反地，它很可能是在限制真正完全收緊之前，快速把仍然能買的設備搬進來。

這種行為其實非常符合大型工業供應鏈面對政策風險時的典型反應：

未來可能不能買
↓
現在先買
↓
提高庫存
↓
延長設備可用壽命
↓
強化零件與維修能力

換句話說，出口管制本身有時候會產生一個副作用：

加速被管制方提前囤貨。

但先釐清一件事：DUV 到底是什麼？

現代先進半導體最核心的設備之一，就是 Lithography，微影。

它的工作可以粗略理解成：

光
↓
Mask
↓
Photoresist
↓
Wafer
↓
把極小電路圖形轉移到晶圓上

DUV 使用的主流曝光波長大約是 193 nm。

而 immersion DUV 在鏡頭與 wafer 之間加入液體，通常是超純水，提高有效 Numerical Aperture，也就是數值孔徑。

結果就是：

同樣 193 nm 的光，可以印出更小的 feature。

ASML 的 TWINSCAN NXT 系列，就是目前全球最重要的 immersion DUV 平台之一。

而 EUV 則使用約 13.5 nm 波長。

單看波長：

DUV   193 nm
EUV  13.5 nm

差距非常巨大。

所以直覺上會覺得：

13.5 nm 當然可以畫得比 193 nm 細很多。

這也是 EUV 對 7nm、5nm、3nm 等先進製程非常重要的原因。

但問題在於，半導體工程師有一個非常經典的技能：

如果一次畫不出來，那就分幾次畫。

沒有 EUV，為什麼 DUV 還能做 7nm？

這就是 Multiple Patterning，多重圖形化。

假設一組線條太密，DUV 一次曝光無法分辨。

那可以把原本一張圖拆成：

Pattern A
+
Pattern B

分兩次曝光。

如果還不夠：

A
+B
+C
+D

甚至透過 Self-Aligned Double Patterning、Self-Aligned Quadruple Patterning 等方式繼續細分。

概念上可以理解成：

原本：
||||||||||||

一次 DUV 畫不出來

拆成：
| | | | | |
+
 | | | | | |

兩次組合
↓
||||||||||||

當然，真實半導體製程遠比這個示意複雜。

但核心概念就是：

用更多製程步驟，換取更小的有效 pitch。

這也是為什麼在 EUV 大規模使用以前，TSMC、Samsung、Intel 本來就已經用 immersion DUV 做過相當先進的節點。

EUV 不是突然讓物理定律重新發明一次。

它最大的價值之一，是把原本需要很多次 patterning 的步驟重新壓縮。

這就是中國現在最大的工程交換條件

如果不用 EUV 做先進節點，會發生什麼？

很簡單：

你要用更多步驟。

例如原本：

EUV
曝光一次
↓
完成某層 pattern

如果換成 DUV：

DUV exposure
↓
Etch
↓
Deposition
↓
Spacer formation
↓
再曝光
↓
再蝕刻
↓
Overlay correction
↓
Metrology

製程流程立刻膨脹。

這會帶來幾個問題。

第一個是 成本。

曝光次數增加，設備使用時間、材料、蝕刻、沉積、清洗與檢測成本全部上升。

第二個是 Cycle Time。

晶圓需要在更多設備之間跑來跑去，製造時間會拉長。

第三個是 Overlay Error。

每多一次曝光，就多一次圖形對準的風險。

如果 A layer 和 B layer 偏了一點點，最後組合出來的 feature 就可能不符合設計。

第四個是 Defect Probability。

步驟越多，越多機會把 defect 帶進來。

第五個，就是最痛的：

Yield。

良率。

你不是做出一顆 7nm 晶片就算成功。

真正的問題是：

一片 wafer 上幾百顆 die，到底有多少顆能賣？

如果：

能做
≠
能便宜大量做

那麼商業競爭力就會完全不同。

所以 DUV 可以讓中國『維持先進節點能力』，但不代表它與 EUV 生產效率等價。

343 台真正可怕的不是單台能力，而是數量

這就是這份 CTS 報告真正值得注意的地方。

如果只有：

5 台 immersion DUV

那它可能只是小規模研發工具。

但如果是：

343 台

問題就變了。

因為大量設備可以用產能去補部分效率問題。

假設某個製程：

EUV
1 次曝光

而 DUV multi-patterning 需要：

4 次曝光

那 DUV throughput 明顯吃虧。

但如果你擁有非常大的 scanner fleet，就能透過更多設備平行運作，把一部分 throughput 損失補回來。

不是免費。

不是高效率。

但它可以工作。

這是量產工程和單純比較設備 spec 最大的差別。

為什麼 NXT:1980i 會變成問題核心？

荷蘭從 2023 年 9 月開始對更先進的 immersion DUV 設備加強出口許可要求，包括 NXT:2000i 及更高階型號。

之後管制又進一步擴展到 NXT:1980 等級系統。

但真正的關鍵是：

需要 license，不等於全面禁止。

部分設備仍然可能透過逐案審查取得出口許可。

這就產生 CTS 所稱的 loophole，也就是漏洞。

政策目標是：

限制中國先進 AI 晶片生產能力

但制度實際運作可能變成：

EUV
完全拿不到

最高階 DUV
高度限制

部分 immersion DUV
仍可能取得 license

而偏偏第三類設備又足夠強。

它不像 EUV 那麼有效率，但經過 multi-patterning 仍然可以製造先進邏輯與記憶體。

結果就是：

管制封住了最好的路，但留了一條更貴、更慢、卻仍然走得通的路。

甚至『1980i』這個名字本身都值得注意

這裡還有一個很 nerd，但非常重要的小地方。

CTS 與部分媒體把相關設備統稱為 NXT:1980i。

不過 ASML 實際產品名稱更常見的是 NXT:1980Di、1980Fi 等型號，而不是一台正式叫做『NXT:1980i』的 scanner。

Tom's Hardware 也特別指出這個命名問題。

所以本文把『NXT:1980i』視為研究報告中的系列分類或簡稱，而不是完全精確的單一官方產品型號。

這也提醒了一件事：

CTS 的 343 台與 270 台，屬於研究機構建立的設備 inventory estimate，而不是 ASML 官方公布的逐台序號資料。

這些數字可以用來理解規模，但不適合當成百分之百精確的資產盤點。

ASML 自己的財報其實也能看到中國採購潮

雖然 ASML 沒有公開：

『我們 2025 年賣給中國 89 台 NXT:1980i。』

但它自己的營收資料確實顯示，中國在限制升級前後曾是極大的設備需求來源。

ASML 2025 年年報指出，中國客戶占其全年總營收約 29.1%，而 2024 年更高達 36.1%。

ASML 也明確表示，2025 年中國 DUV 業務比原先預期更強。

若只看 system sales 的 shipment destination，Tom's Hardware 根據 ASML 公開資料整理指出，中國占比在：

2024：41%
2025：33%

之後才在出口限制逐漸發酵後下降到：

2026 Q1：19%
2026 Q2：14%

這個時間序列非常符合一種典型現象：

管制預期升高
↓
提前採購
↓
設備大量進口
↓
限制真正收緊
↓
後續出貨下降

這不能單獨證明 CTS 的 343 台估算完全正確。

但至少 ASML 自己的財報確實證明，中國在 2024 到 2025 年曾經是非常大的 DUV 設備市場。

為什麼出口管制很難直接封死？

因為半導體設備並不像 GPU。

一張 GPU 可以禁止出口，幾年之後它自然會逐步落後。

Lithography scanner 則是大型資本設備。

只要設備本體已經進入 fab：

Machine installed
↓
持續維修
↓
更換零件
↓
software calibration
↓
field upgrade
↓
使用十年以上

它可能長時間繼續生產。

所以出口管制存在一個非常重要的時間問題：

今天禁止出口，不會讓昨天已經交付的設備消失。

如果中國真的已經累積數百台 immersion DUV，那政策開始全面收緊時，設備基礎本身已經存在。

這就是 stockpile 的戰略價值。

下一個戰場可能不是『賣不賣機器』，而是維修

也因此 CTS 的建議不只包含全面禁止新的 immersion DUV 出口。

它還建議限制：

• Spare parts
• Service
• Maintenance
• Equipment diversion

這其實可能比禁止新機更重要。

ASML scanner 不是一台買回去就可以二十年不用管的機器。

它需要非常精密的：

laser system
optics
stage
sensor
metrology
software
calibration
replacement parts

如果新機完全進不去，但既有幾百台設備仍然可以正常獲得零件與服務，那 installed base 可以繼續運作很多年。

反過來，如果連 maintenance ecosystem 都被限制，真正的效果會逐漸從：

不能新增設備

變成：

既有設備 availability 逐年下降

這對 fab 的傷害就大得多。

但這同時會加速中國國產設備

事情還有另一面。

任何長期出口管制都可能產生 substitution pressure，也就是替代壓力。

如果中國永遠都能買 ASML：

本土 scanner 廠商很難競爭。

因為你正在跟全球最成熟的 lithography platform 正面打。

但如果外國設備被完全切斷：

沒有選擇
↓
必須國產替代
↓
政府 + fab + equipment supplier
一起投入

國產設備就突然有了一個非常龐大的 captive market。

即使第一代產品比較差，只要能工作，就有客戶願意幫忙 debug。

而且數百台已存在的 ASML DUV 也提供大量工程經驗：

process recipe
scanner operation
overlay control
fab integration
maintenance workflow

這些 manufacturing know-how 不等於能複製 ASML 的機器，但可以幫助整個本土半導體設備產業學會怎麼建立先進 lithography workflow。

所以出口管制是一場時間賽跑。

問題不是：

今天中國能不能自己做出 ASML。

而是：

現有進口設備可以撐多久，而中國國產設備成熟得有多快。

中國真的能靠這些設備大量做 7nm AI 晶片嗎？

這裡要非常小心。

CTS 認為 immersion DUV fleet 可以支撐 7nm 級邏輯，以及 AI processor 所需的先進記憶體生產。

技術上這個方向是合理的。

因為 DUV multi-patterning 確實可以做到 7nm-class feature。

但：

可以製造
≠
良率高
≠
成本低
≠
產量大
≠
性能與功耗等同 TSMC 先進節點

這五件事一定要分開。

半導體真正的競爭不是 demo wafer。

而是：

Yield
×
Throughput
×
Cost
×
Reliability
×
Volume

所以這些 DUV 機器提供的是中國維持先進節點的一個『底座』。

它不是一張自動兌換成 TSMC N3 的魔法券。

真正的漏洞其實是一個『時間窗口』

從整件事情回頭看，所謂 export-control loophole 可能不只是某個型號到底需不需要 license。

更大的漏洞是一段時間窗口：

政策開始討論
↓
企業知道未來可能被限制
↓
加速採購
↓
設備先進入中國
↓
規則正式收緊

等出口管制完全生效時，大量資本設備已經在 fab 裡。

這也是為什麼 CTS 現在主張更乾脆的做法：

對中國全面禁止 immersion DUV，而不是繼續依不同型號與不同客戶逐案審批。

但這是一個政策主張，不是已經生效的新規則。

美國、荷蘭與其他盟友是否真的會採用完整禁令，目前仍未確定。

對 ASML 也是一個尷尬問題

從 ASML 的角度來看，事情也很微妙。

中國長期是它的重要市場。

2025 年，中國仍占 ASML 總營收約 29%。

但 ASML 同時必須遵守荷蘭、美國及其他司法管轄區的出口管制。

因此 ASML 自己的年報也反覆把 geopolitics、export license 與 China sales 列為重要風險。

如果 immersion DUV 未來真的被全面禁止：

短期內 ASML 會失去部分中國設備需求。

但另一方面，全球 AI capex、HBM、leading-edge logic 與 advanced packaging，又正在把其他地區的 lithography demand 往上推。

所以對 ASML 而言，問題不是單純：

『中國市場沒了。』

而是全球 equipment demand 的地理分布會繼續改寫。

這場戰爭真正比的是製造效率，不只是製程名稱

整個事件最後其實可以濃縮成一個很重要的半導體觀念。

看到：

中國 7nm

不代表：

中國製程 = TSMC 7nm

同樣地：

看到中國沒有 EUV，也不能直接得到：

中國不能做 7nm

真正需要問的是：

需要多少曝光？
良率多少？
一片 wafer 要多久？
成本多少？
每個月能做多少？
功耗與性能如何？
設備能維持多久？

半導體競爭從來不只是節點名稱。

它是一個完整 manufacturing system 的競爭。

出口管制真正碰到的悖論

這也帶出整件事情最有趣的一個悖論。

美國與盟友限制 EUV 的目的，是增加中國取得先進 AI 晶片的難度。

這確實成功讓中國無法直接走全球最有效率的先進製程路線。

但 restriction 同時也產生：

DUV stockpiling
+
multi-patterning investment
+
domestic equipment development
+
maintenance localization
+
process optimization

也就是說，限制並沒有讓工程問題消失。

它只是把工程問題從：

『如何取得 EUV？』

改成：

『如何不用 EUV 仍然把晶片做出來？』

而現在這 343 台 immersion DUV 的估算，就是這條替代路線已經累積出相當規模的訊號。

這也是為什麼今天出口管制的爭論開始從 EUV，重新往 DUV、維修、零件與已安裝設備延伸。

晶片戰的下一階段，可能不再只是『誰擁有最先進的曝光機』。

而是：

誰能讓自己現有的曝光機繼續工作得夠久、夠穩、夠大量。

Tech English｜本文技術名詞

Immersion DUV Lithography｜浸潤式深紫外光微影：使用約 193 nm DUV 光源，並在投影鏡頭與晶圓之間加入液體提高數值孔徑的微影技術，是先進與成熟製程的重要設備。

Multiple Patterning｜多重圖形化：把原本無法一次曝光完成的密集圖形拆成兩次或更多製程步驟，讓較長波長的 DUV 也能製作更細小的結構。

Overlay Error｜套刻誤差：不同曝光層或不同 pattern 之間的位置偏差。多重圖形化步驟越多，控制 overlay 的難度通常越高。

Installed Base｜已安裝設備基礎：已經部署在客戶工廠並持續使用的設備總量。半導體設備可以服役多年，因此 installed base 對產能與維修需求非常重要。

Yield｜良率：一批晶圓上最終符合規格、可以出售的晶片比例。能製造某個節點不代表經濟上能大量生產，良率通常才是真正關鍵。

Export License｜出口許可證：政府對特定技術、設備或客戶進行逐案出口審查的制度。需要許可不等於全面禁止，這正是本次 DUV 管制爭議的核心之一。