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High-NA EUV 太先進，反而塞不下大型 AI 晶片？ASML 準備放大光罩，解決下一代曝光難題
ASML 的 High-NA EUV 將數值孔徑從現有 EUV 的 0.33 提升至 0.55，可提供更高解析度並減少先進製程的多重圖案化步驟，但這項光學升級也帶來一個反直覺限制：目前 High-NA 的單次曝光範圍較小，難以直接處理接近傳統約 800 mm² reticle limit 的大型 AI 與資料中心晶片。ASML 9 月 8 日表示，將與主要晶片製造商合作導入更大的 mask 解決方案，目標讓 High-NA 未來也能製造 NVIDIA、Google 等公司使用的大型運算晶片，並提升約 40% 生產力。
晶片觀測站·3 週前
9 min
Intel 14A 製程時程確立！2027 下半年風險試產、2028 正式量產，Intel Foundry 加速邁向下一世代
Intel 在最新法說會公布 14A 製程最新進展，執行長陳立武（Lip-Bu Tan）確認將依照既定規劃，於 2027 年下半年展開風險試產（Risk Production），並於 2028 年正式進入大量生產（High Volume Manufacturing）。隨著 PDK 持續成熟、良率改善及資本支出增加，Intel Foundry 正加速推進下一代先進製程布局。
晶片觀測站·2 個月前
6 min