馬斯克 Terafab 招募 DRAM 製程工程師，劍指記憶體市場，挑戰三星、SK hynix 與 Micron 三強格局

根據 Tesla 最新公布的徵才資訊，Terafab 正招募一名 Memory Process Integration Engineer（記憶體製程整合工程師），負責 DRAM 及新一代記憶體技術的整合開發。此舉意味著 Elon Musk 主導的 Terafab 計畫，正積極布局記憶體製造領域，未來可能直接挑戰目前由 Samsung、SK hynix 與 Micron 主導的全球 DRAM 市場。

Terafab 是 Tesla 與 SpaceX 共同推動的大型半導體製造計畫，並獲得 Intel 半導體人才與技術支援。該計畫的長期目標，是建立每年可生產 1,000 GW（1 TW）AI 運算能力的晶片製造基地，打造高度垂直整合的 AI 晶片供應鏈。

目前 Terafab 仍處於建設初期，規劃首先投入約 168 億美元，在美國德州 Grimes County 興建大型晶圓製造園區。未來整體園區預計擴展至約 1 億平方英尺，成為全球規模最大的半導體製造基地之一。

與傳統晶圓代工模式不同，Terafab 希望將晶片製造所有流程整合於同一園區，包括光罩製作、微影製程、晶片製造、Chiplet 封裝、先進封裝、測試與驗證等流程，以縮短產品開發週期。官方目標是將目前業界約 6 至 9 個月的晶片設計迭代時間，大幅縮短至數週。

此次公布的記憶體工程師職缺，也透露 Terafab 未來的技術方向。職務內容包括：

• 負責 DRAM Cell 從電容設計到量產（HVM）導入的完整製程整合。 • 建立先進 DRAM 製程架構，包括 Sub-20nm Half-Pitch 節點。 • 最佳化記憶體電容密度、漏電控制以及 Refresh 特性。 • 與蝕刻（Etch）、沉積（Deposition）、離子植入（Implant）、CMP 等製程團隊共同制定 DRAM 製程窗口。 • 與記憶體電路設計團隊合作，驗證 Sense Amplifier、Refresh Timing 及工作頻率等設計目標。 • 推動 MRAM、RRAM 以及 3D DRAM 等新一代記憶體技術的整合開發，作為 Terafab 未來記憶體產品藍圖的一部分。

外界普遍認為，Terafab 原本主要瞄準 AI 晶片製造，但此次開始招募 DRAM 製程人才，代表其布局正進一步延伸至高頻寬記憶體與新世代記憶體供應鏈，企圖建立更完整的 AI 基礎設施能力。

目前全球 DRAM 市場仍由 Samsung Electronics、SK hynix 與 Micron 三家公司主導，尤其 AI 時代對高效能記憶體需求快速攀升，使記憶體供應鏈的重要性持續提升。若 Terafab 未來成功建立自主記憶體製造能力，將可能打破現有供應格局，為 AI 晶片產業帶來新的競爭者。

不過，值得注意的是，目前 Tesla 並未正式宣布將量產 DRAM，也未公布任何記憶體產品時程。本次消息主要來自公開徵才內容，因此仍屬於 Terafab 技術布局方向，而非已確定的產品發表計畫。