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「EUV」
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Intel 稱製程只差台積電幾個百分點：真正難追的是量產規模，High-NA EUV 為何成為 14A 關鍵？
Intel 技術長認為製程 PPA 小幅落後並非關鍵，台積電的規模、良率與準時交付才是挑戰。解析 14A、High-NA EUV、背面供電與 AI 算力擴張下的晶圓代工競賽。
ASML 法說深度解析：AI 設備需求看到 2030 年，EUV 擴產、High-NA 與台積電供應鏈的下一場考驗
ASML 2026 年第三季營收 116.62 億歐元、毛利率 57.5%，但真正值得注意的是 2027～2028 年設備供應可能追不上需求。從 EUV 吞吐量、High-NA 導入、DRAM 與 HBM，到台積電擴產及 AI 資本支出，完整拆解這場法說透露的半導體產業變局。
馬斯克 Terafab 傳 2027 年取得首台 ASML EUV 曝光機：設備可能先閒置，真正量產恐等到 2030 年
Elon Musk 的 Terafab 半導體計畫傳出將於 2027 年中取得首台 ASML EUV 曝光機，但實驗晶圓廠可能尚未完工，導致設備暫時無法投入運作。Terafab 計畫採用 Intel 14A 製程，並以 Tesla、SpaceX 與 xAI 的晶片需求為主要目標。這項計畫真正的挑戰並非購買先進設備，而是如何建立完整製程、提高良率並實現商業化量產。
中國囤了 343 台浸潤式 DUV：沒有 EUV 仍能做 7nm，出口管制最大的漏洞被重新點名
美國研究機構 Centre for Technology & Statecraft 估算，截至 2026 年第一季，中資晶圓廠已累積取得約 343 台浸潤式 DUV 微影設備，其中約 270 台屬於 ASML NXT:1980i 等級系統。雖然中國無法購買 ASML EUV，但 immersion DUV 配合多重圖形化仍可生產 7nm 級邏輯與部分先進記憶體，只是成本、製程複雜度與良率壓力更高。這讓出口管制焦點重新從『有沒有 EUV』轉向『中國到底還能取得多少高階 DUV、零件與維修能力』。
沒有 EUV，就從晶片背面下手？SMIC 傳在 N7/N5 測試背面供電技術
TrendForce News 引述產業消息指出，中芯國際正在為 N7/N5 製程研究 Backside Power Delivery，AMEC 與北方華創據報參與相關設備支援，其中 AMEC 的 ALD 設備傳出已通過 SMIC 驗證。這不代表 SMIC 靠背面供電就能跨越 EUV 限制，但顯示中國先進製程的競爭方向，可能開始從單純追逐微影縮放，轉向供電、互連、材料與結構創新。
High-NA EUV 太先進，反而塞不下大型 AI 晶片？ASML 準備放大光罩，解決下一代曝光難題
ASML 的 High-NA EUV 將數值孔徑從現有 EUV 的 0.33 提升至 0.55，可提供更高解析度並減少先進製程的多重圖案化步驟，但這項光學升級也帶來一個反直覺限制：目前 High-NA 的單次曝光範圍較小，難以直接處理接近傳統約 800 mm² reticle limit 的大型 AI 與資料中心晶片。ASML 9 月 8 日表示，將與主要晶片製造商合作導入更大的 mask 解決方案，目標讓 High-NA 未來也能製造 NVIDIA、Google 等公司使用的大型運算晶片，並提升約 40% 生產力。
Intel 14A 製程時程確立！2027 下半年風險試產、2028 正式量產，Intel Foundry 加速邁向下一世代
Intel 在最新法說會公布 14A 製程最新進展，執行長陳立武（Lip-Bu Tan）確認將依照既定規劃，於 2027 年下半年展開風險試產（Risk Production），並於 2028 年正式進入大量生產（High Volume Manufacturing）。隨著 PDK 持續成熟、良率改善及資本支出增加，Intel Foundry 正加速推進下一代先進製程布局。