三星法說會：AI 記憶體需求全面爆發，HBM4 出貨暴增、供應短缺恐一路延續至 2028 年

三星電子公布 2026 年第二季財報後舉行法說會，管理層指出，生成式 AI 已逐步進入 Agentic AI 階段，全球大型雲端業者（Hyperscaler）以及新興 AI Cloud Provider 持續擴建 AI 基礎設施，使整體半導體需求再次出現結構性提升。

公司表示，本季營收與營業利益皆創下歷史新高，主要來自 AI 帶動的記憶體需求，以及高效能半導體產品銷售成長。雖然智慧型手機與消費性市場仍受到零組件成本上升影響，但資料中心需求已遠遠超過消費市場放緩所造成的影響。

在記憶體業務方面，三星指出第二季 DRAM 與 NAND Bit Shipment 均創歷史新高，其中 Server 相關產品占比同步創新高。HBM4 已開始擴大供貨，同時業界首批 HBM4E 樣品也已送交主要客戶驗證。公司預估第三季 HBM4 銷售將較去年同期成長超過三倍，下半年 HBM4 將占整體 HBM 營收超過六成。

三星特別強調，目前 AI Token 使用量正呈現指數級成長，不只是 AI Server，連一般運算伺服器與儲存伺服器需求也同步增加。然而新晶圓廠從建設到正式量產通常需要超過三年，因此即使整個產業提高資本支出，供給仍難以及時跟上需求。公司認為直到 2028 年以前，市場幾乎看不到明顯新增產能，因此供需缺口仍將持續擴大，甚至預期 2027 年供應情況可能比 2026 年更加吃緊。

為了提高未來供貨穩定性，三星已開始與主要 AI 客戶簽署多年期供貨合約。目前已完成全球前五大資料中心客戶簽約，另有五家大型客戶進入最後談判階段。公司透露，未來 DRAM 與 NAND 約六至七成產能將配置於多年期合約，並採五年滾動式契約，同時要求客戶支付預付款，以降低未來資本投資風險。

NAND 業務也因 AI 發展而出現重大變化。三星指出，今年 Server SSD 將占 NAND 營收超過六成，比去年增加超過二十個百分點。PCIe Gen6 SSD 已獲主要客戶正面評價，256TB QLC Server SSD 已完成產品布局，V10 BV-NAND 將於八月正式量產，以支援下一代 AI 平台需求。

晶圓代工方面，三星表示第二季受惠於 HBM Die 與 AI HPC 晶片需求增加，營收與產能利用率同步提升。目前 8 奈米以下先進製程已接近滿載，第二代 2 奈米製程將於下半年開始量產手機晶片，同時持續擴大 CSP、AI HPC 客戶訂單。公司透露，美國 Taylor Fab 第一座晶圓廠將依計畫於 2026 年投產，第二座晶圓廠預計年底動工，目標於 2030 年量產。此外，已有客戶開始詢問 1.4 奈米製程規劃。

System LSI 部門則持續推動 AI SoC 發展。三星表示，未來客戶對 Custom SoC 的需求快速增加，公司正結合設計、記憶體、先進封裝與晶圓代工能力，提供完整 AI 晶片解決方案，並已取得下一代旗艦 SoC 訂單。

手機業務方面，三星表示，受到記憶體價格持續上漲影響，MX 部門獲利承受壓力。不過旗艦 Galaxy S26 系列銷售表現穩定，下半年將推出新一代摺疊手機、Tab S12、Watch Ultra 2，以及 AI 智慧眼鏡，同時持續推動 Galaxy AI 朝 Agentic AI 與 AI OS 發展。未來 Galaxy AI 將能理解使用者情境、主動完成任務，並透過 Knox 安全架構保護個人資料。

顯示器業務方面，三星表示 Gen 8.6 IT OLED 已正式量產，將持續擴大 IT OLED 與 QD-OLED 市場，同時積極布局 AI TV、生態系服務以及超個人化內容推薦。

此外，公司亦透露已成立 RX Robotics Business Office，整合 AI、軟體、硬體與機器人研發資源，初期聚焦製造與物流應用，未來逐步發展人形機器人，並運用三星在 HBM、低功耗記憶體、AI SoC、先進封裝等半導體技術建立 Physical AI 生態系。